氮化铝技术

背景

Crystal是1997年由Leo Schowalter和Glen Slack开发了用于更强大可靠的半导体器件的天然氮化铝(ALN)衬底技术。水晶是科学家开发了用于在ALN基板上生长活性晶体层的专利方法,同时保留ALN的低缺陷密度。这些晶体(称为假形立方外延结构)表现出尖锐的界面,平滑表面,表面粗糙度小于一个纳米。当使用诸如蓝宝石的异物基板时,这些厚的假晶层和基于它们的装置是不可能的。

结果已被LED器件具有较高的效率,并且在250-280nm波长范围内的寿命更长,而不是由其他竞争技术制造的二极管,例如在蓝宝石上生长的晶体。

Leo Schowalter.
联合创始人Leo Schowalter
水晶是aln boule

LED如何制作?

LED通常通过在结晶晶片基板上沉积非常薄的高晶体层(外延层)的各种组合物而制造。由LED发出的波长由外延层的材料特性限定。沉积的原子遵循由基材提供的晶体模板,称为外延沉积的过程。对于大多数材料系统,有一个天然基质;例如,对于基于铝,铟和/或砷化镓合金的二极管,天然基质是砷化镓(GaAs),而硅衬底用于基于硅的二极管。
Aln水晶:所有水晶的心脏是产品

LED的基板

在传统的蓝宝石衬底上的深紫色LED制作,通常用于蓝色和绿色IngaN LED,导致108.每平方厘米的脱臼(缺陷)。晶体使用氮化铝(ALN)衬底制造少于10的深紫外LED5.每平方厘米的脱臼(缺陷)。这意味着在更短的波长下的高输出LED的高产量。

氮化铝基材的优点


更有效的消毒力量

更一致,可靠的性能

更简单的发光模式,更简单,成本更低的设计