氮化铝技术

背景

Crystal IS是由Leo Schowalter和Glen Slack于1997年创立的,旨在开发本地的氮化铝(AlN)衬底技术,用于更强大和可靠的半导体器件。Crystal IS的科学家开发了在AlN衬底上生长活性晶体层(如led)的专利工艺,同时保持AlN的低缺陷密度。这些晶体(称为假晶外延结构)具有尖锐的界面,光滑的表面,表面粗糙度小于1纳米。这些厚的假晶层,以及基于它们的器件,在使用诸如蓝宝石之类的外国衬底时是不可能的。

在250-280 nm波长范围内,LED器件的效率更高,使用寿命更长,比其他竞争技术(如在蓝宝石上生长晶体)制造的二极管要长。

狮子座Schowalter
狮子座Schowalter创始人之一
水晶是AlN水晶

led是如何制造的?

led通常是通过在晶圆衬底上沉积各种成分的非常薄、高结晶层(外延层)来制造的。LED发出的波长是由外延层的材料特性决定的。沉积的原子遵循由衬底提供的晶体模板,这个过程称为外延沉积。对于大多数材料系统,都有天然基质;例如,对于基于铝、铟和/或砷化镓合金的二极管,其天然衬底是砷化镓(GaAs),而硅衬底用于基于硅的二极管。
AlN水晶:所有水晶IS产品的核心

基板的发光二极管

在传统的蓝宝石衬底上制备深紫外光发光二极管,通常用于蓝色和绿色InGaN发光二极管8每平方厘米错位(缺陷)。Crystal IS使用氮化铝(AlN)基板制造小于10的深紫外光led5每平方厘米错位(缺陷)。这意味着在更短的波长下,led的产量更高。

氮化铝衬底的优点


更高效的消毒电源

更一致,性能更可靠

更简单的光发射模式,更简单,更低的成本设计