led是如何制造的?

led通常是通过在晶圆片衬底上沉积各种成分的极薄、高度结晶层(外层)来制造的。LED发射的波长是由外层的材料特性决定的。沉积的原子遵循由衬底提供的晶体模板,这一过程称为外延沉积。对于大多数材料体系,都有一个天然底物;例如,以铝、铟和/或砷化镓合金为基材的二极管,其天然基材是砷化镓(GaAs),而硅基二极管则使用硅基板。

基板的发光二极管

氮化铝(AlN)和氮化镓(GaN)合金通常用于制造具有杀菌范围波长的紫外线发光二极管。蓝宝石基板通常用于蓝色和绿色的InGaN led,在蓝宝石基板上制造深紫外光led的结果是10多个8每平方厘米的位错(缺陷),相应地,寿命和效率降低。因此,氮化铝(AlN)衬底是减少深紫外光led的位错(缺陷)的关键。

晶体是优势

率先开发单晶氮化铝(AlN)衬底。接下来,晶体是科学家开发的专利工艺,用于在AlN基片上生长活性晶体层,如led,同时保持AlN的低缺陷密度。这些晶体(称为伪晶外延结构)具有锐利的界面,表面光滑,表面粗糙度小于一纳米。当使用外来衬底(如蓝宝石)时,这些厚的伪晶层和基于它们的设备是不可能的。

其结果是,在250-280 nm波长范围内,LED器件比其他竞争技术(如蓝宝石晶体)制造的二极管具有更高的效率和更长的寿命。2013年3月,我们宣布在连续波运行的情况下,单颗紫外线LED能输出超过60mw的光。

关于我们最新的最先进的紫外线led技术出版物,请看下面。



  1. 具有超过60mw连续波输出功率的270nm伪纯紫外光发射二极管。理论物理。特快6 (2013)032101
  2. 高了将功率从260nm伪纯紫外发光二极管与改进的热性能,Appl。理论物理。特快4 (2011)082101
  3. 氮化铝基板上伪纯紫外光发射二极管的可靠性和性能。地位Solidi C 8,第5号,1528-1533 (2011)
  4. 在大块氮化铝衬底上用伪晶层制作中紫外光发射二极管的特性,达成。理论物理。表达3 (2010) 072103
  5. 大块AlN基片上的紫外光- c伪晶发光二极管的性能和可靠性。Status Solidi C 7, No. 7 - 8, 2199-2201 (2010)
  6. 氮化铝中Er3+离子的电子顺磁共振,应用物理学报105,023714 (2009)
  7. 电子应用的氮化铝晶体生长和外延研究进展。地位Solidi A, 1-7 (2009)
  8. 厚n型Alxga1-Xn层在低缺陷密度AlN衬底上的伪晶生长,晶体生长311 (2009)2864-2866
  9. 用于电子应用的大面积铝基板:工业前景,晶体生长杂志310 (2008)4020 - 4026

  10. 用于器件制造的大直径晶体AlN衬底的结构和表面表征,晶体生长杂志310 (2008)887-890
  11. 海藻异质外延在深紫外光发射二极体AlN基板上的应用。理论物理。信91,051116 (2007)
  12. 基于AlN的紫外半导体激光二极管,应用物理学报,101,123103 (2007)
  13. 2英寸直径AlN单晶片的制备和表征从大块晶体,脱线。Soc >,计算机协会。计划第955卷(2007)
  14. 原子力显微镜在天然AlN基体上的研究。Soc >,计算机协会。程序第892卷(2006)
  15. 单晶AlN晶片缺陷含量的评定。Soc >,计算机协会。程序第892卷(2006)
  16. 用于器件应用的本地单晶AlN衬底的开发。第203号,第7号,1667-1671号(2006)
  17. 氮化铝晶体中供体的电子顺磁共振,应用物理学报88,062112 (2006)
  18. 单晶AlN基片中的声表面波速,《IEEE超声波、铁电与频率控制学报》,第53卷,第1期。1, (2006)