LED如何制作?

LED通常通过在结晶晶片基板上沉积非常薄的高晶体层(外延层)的各种组合物而制造。由LED发出的波长由外延层的材料特性限定。沉积的原子遵循由基材提供的晶体模板,称为外延沉积的过程。对于大多数材料系统,有一个天然基质;例如,对于基于铝,铟和/或砷化镓合金的二极管,天然基质是砷化镓(GaAs),而硅衬底用于基于硅的二极管。

LED的基板

氮化铝(AlN)和氮化镓(GaN)lloys are typically used to fabricate ultraviolet LEDs emitting light with wavelengths in the germicidal range. Fabrication of deep ultraviolet LEDs on sapphire substrates, which are commonly used in blue and green InGaN LEDs, results in more than 108.脱位(缺陷)每平方厘米,相应地,寿命和效率降低。因此,氮化铝(AlN)衬底是减少深紫外LED中的脱位(缺陷)的关键。

水晶是优势

晶体是开创性的单晶氮化铝(ALN)基材的发展。接下来,水晶是科学家开发了用于在ALN基板上生长活性晶体层的专利方法,同时保留ALN的低缺陷密度。这些晶体(称为假形立方外延结构)表现出尖锐的界面,平滑表面,表面粗糙度小于一个纳米。当使用诸如蓝宝石的异物基板时,这些厚的假晶层和基于它们的装置是不可能的。

结果已被LED器件具有较高的效率,并且在250-280nm波长范围内的寿命更长,而不是由其他竞争技术制造的二极管,例如在蓝宝石上生长的晶体。2013年3月,我们宣布从连续波操作中的单个紫外线LED超过60兆瓦的光输出。

对于我们最近的技术出版物的紫外线,请参阅下文。



  1. 具有超过60 MW连续波输出功率,APP的270nm假形紫外发光二极管。物理。快递6(2013)032101
  2. 从260nm假形紫外线发光二极管换电力,具有改进的热性能,苹果。物理。快递4(2011)082101
  3. 散装铝氮化物基材,物理铝铝型紫外线发光二极管的可靠性和性能。状态SOLISI C 8,第5,528-1533(2011)
  4. 中紫外光发光二极管的性质,由散装铝氮化物基材上的假形图层制成,苹果。物理。表现3(2010)072103
  5. 散粒子基板上紫外线-C伪晶发光二极管的性能和可靠性。状态SOLIS C 7,No.7-8,2199-2201(2010)
  6. 氮化铝中ER3 +离子的电子顺磁共振,应用物理学杂志105,023714(2009)
  7. 电子应用的Aln散装生长和外延的进展,物理。Status Solidi A,1-7(2009)
  8. 厚N型AlxGA1-XN层对紫外线LED应用的低缺陷密度散装Aln基材的假晶生长,晶体生长311(2009)2864-2866
  9. 用于电子应用的大面积ALN基板:工业角度,晶体增长杂志310(2008)4020-4026

  10. 大直径的结构和表面表征,用于器件制造的晶体AlN基材,晶体生长杂志310(2008)887-890
  11. AlGaN的杂肝在深紫外发光二极管,Appl中的散装Aln基板。物理。字母91,051116(2007)
  12. 紫外半导体激光二极管在散装ALN,应用物理学报,101,123103(2007)
  13. 2英寸直径Aln单晶晶片的制造和表征从散装晶体中切割,母体。res。SOC。Symp。Proc。卷。955(2007)
  14. 原子力显微镜研究原生ALN基材,母体。res。SOC。Symp。Proc。卷。892(2006)
  15. 单晶ALN晶片,母体中的缺陷内容评估。res。SOC。Symp。Proc。卷。892(2006)
  16. 用于器件应用的本机,单晶ALN基板的开发,物理。统计。索尔。(a)203,7,1667-1671(2006)
  17. 氮化铝晶体中供体的电子顺磁共振,应用物理字母88,062112(2006)
  18. 表面声波速度在单晶ALN基板中,超声波,铁电和频率控制上的IEEE交易,Vol。53,不。1,(2006)